【国金证券：AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容】
国金证券研报指出，mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景（线宽/线距可达15um以下），技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子，AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容。mSAP-PCB对于上游材料的拉动方面，建议关注①直写光刻，②电镀线，③载体铜箔，④药水，⑤low-CTE电子布，⑥low-dk二代布、HVLP4铜箔等方向。
来源：e公司
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国金证券研报指出，mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景（线宽/线距可达15um以下），技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子，AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容。mSAP-PCB对于上游材料的拉动方面，建议关注①直写光刻，②电镀线，③载体铜箔，④药水，⑤low-CTE电子布，⑥low-dk二代布、HVLP4铜箔等方向。
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