【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】
三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。
来源：东方财富
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三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。
来源：东方财富