三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能

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2026年2月27日 15:02（北京时间）的财经快讯。

  1. 行业 / 信息技术

    【三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】

    三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。 （ZDNet）

    来源：财联社