【消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%】
业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。 （ET News）
来源：财联社
财经通是一个免费的中文多源财经快讯聚合站，7×24 小时把财联社、华尔街见闻、新浪财经等 12 家主流财经媒体的快讯汇集到同一条时间轴，按时间排好、去掉重复，覆盖宏观经济与央行政策、 A股、港股、美股、债券、外汇、大宗商品和加密货币。
业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。 （ET News）
来源：财联社